Трехдневная программа включает научные сессии с участием исследователей с мировым именем, семинар лауреатов премий для молодых ученых, выставку инновационных разработок, культурные мероприятия.
Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических пленок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного слоя элементов энергонезависимой резистивной памяти.