В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН состоялась встреча представителей сибирского отделения РАН и холдинга НИК «Оптические системы и технологии» (входит в состав госкорпорации «Ростехнологии»).
Начал встречу заместитель директора ИФП СО РАН, член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор Анатолий Васильевич Двуреченский. Он кратко охарактеризовал институт и ведущие направления его деятельности:
- Помимо того, что мы как исследовательский институт занимаемся получением нового знания, мы также разрабатываем высокотехнологичные продукты в качестве опытных образцов, которые потом можно будет пустить в производство. Направления работы института это - физика полупроводников и диэлектриков, элементная база микро- и наноэлектроники, разработка фотоприемников и фотоприемных устройств, лазерная оптика.
Гостям были представлены ведущие разработки института. Работа фотоприемных устройств демонстрировалась в реальном времени: можно было поднести руку и увидеть, как она отображается на экране монитора, проверить чувствительность и точность работы аппарата, реакцию на движение и другие характеристики.
Также была представлена установка молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая создавать гетероэпитаксиальные структуры «кадмий-ртуть-теллур». Их можно вырастить чувствительными к любой длине волны, и на основе этого базового материала создавать фотоприемники с высокой эффективностью. В частности, подобная технология используется для создания тепловизоров. Как пояснил старший научный сотрудник ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Максим Витальевич Якушев:
- Данная установка многокамерная: каждый процесс проходит в отдельном отсеке. Это позволило наладить поточное производство. Кроме того, каждая камера имеет свою остаточную атмосферу, что позволяет получать низкую плотность дефектов в полученных слоях материала.
